半导体间歇寿命功率温度循环实验系统 BW-IOL-X16M

   2024-03-05 330

半导体间歇寿命温度循环实验系统BW-IOL-X16M

 ■适用于各种封装的IGBT、Si/SiC/GaN、MOSFET、BTJ进行K系数测试、稳态热阻测试及功率循环试验。

■符合MIL-STD-750、GJB128、IEC、AEC-Q101试验标准要求。

 ■试验线路及试验方法满足 MIL-STD-750 Method 1037 及 AEC Q101 相关标准要求

 ■系统平均无问题运行时间≥10000 小时

 ■每通道为 48 工位,48 工位中每个工位可进行 Tj 测试

技术特点 Technical characteristics

 ■在试验的过程中实时测量被试器件的结温,并显示max结温、min结温及结温差。

 ■试验的过程定时测量被试器件的结壳热阻,有利于观察试 验过程中热阻值的变化。

 ■设备带有烟雾探测器,系统探测到烟雾后自动停止。

 ■所有工位并联试验,试验电流保持一致;

 ■每个通道进行独立配置,可以设置不同的试验电流和开通关断 时间


核心提示:半导体反偏栅测试,功率半导体可靠性,半导体热特性测试,半导体功率循环测,半导体间歇寿命测
 
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