由于金氧半场效晶体管栅极氧化层的厚度也不断减少，所以栅极电压的上限也随之变少，以免过大的电压造成栅极氧化层雪崩击穿（breakdown）。为了维持同样的性能，金氧半场效晶体管的临界电压也必须降低，但是这也造成了金氧半场效晶体管越来越难以完全关闭。也就是说，足以造成金氧半场效晶体管沟道区发生弱反转的栅极电压会比从前更低，于是所谓的亚阈值电流（subthreshold current）造成的问题会比过去更严重，特别是今日的集成电路芯片所含有的晶体管数量剧增，在某些超大规模集成电路的芯片，次临限传导造成的功率消耗竟然占了总功率消耗的一半以上。
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