在实际工作中，逻辑Bank地址与相应的行地址是同时发出的，此时这个命令称之为“行”（Row Active）。在此之后，将发送列地址寻址命令与具体的操作命令（是读还是写），这两个命令也是同时发出的，所以一般都会以“读/写命令”来表示列寻址。根据相关的标准，从行有效到读/写命令发出之间的间隔被定义为tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟，RAS就是行地址选通脉冲，CAS就是列地址选通脉冲），我们可以理解为行选通周期。tRCD是DDR的一个重要时序参数，广义的tRCD以核心时钟周期（tCK，Clock Time）数为单位，比如tRCD=3，就代表延迟周期为两个时钟周期，具体到确切的时间，则要根据时钟频率而定。以DDR3-800为例，通过上一节的学习可知，DDR3-800的数据传输频率(等效频率)为800MHz，由于DDR3的预取(Prefetch)位宽为8位，所以核心频率为100MHz(800MHz/8)，核心时钟的周期为10ns,如果tRCD=3，则表示延时为30ns。
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