信源蓄电池(电子) Co., Ltd

信源蓄电池(电子) Co., Ltd

    信源蓄电池正是因为信源蓄电池的复杂的特性，因此理士蓄电池运行初期的状态往往没有达到其相对的稳定状态，其一些常用参数如浮充电压和内阻值就充分的反映出信源蓄电池(电子) Co., Ltd了这种客观规律。

  一、 浮充电压

  信源蓄电池浮充电压的稳定需要运行一定的时间，通常需要3～6个月才能达到一个稳定的状态。这和新汽车需要一段时间的磨合期是一个道理。

  在信源蓄电池组实际运行时，充电机并不是对每个信源蓄电池单独控制充电的，而是控制整组理士电池的充电电压。如要求单体浮充电压为2.25V/2V单体(对应12V电池为13.50V)时，对通信电源的24节电池组信源蓄电池(电子) Co., Ltd，则整组电池电压设为：24×2.25=54V;对UPS电源240节电池组，则整组电池电压设为：240×2.25=540V。这时，问题就产生了——由于新电池生产过程中材料、工艺等非一致性，导致了单体电池性能参数的非一致性，每个单体电池并没有按理想设定的浮充电压(2.25V/2V单体)在充电!单只电池实际充电电压通常在2.20~2.30V/2V单体(对于12V电池为13.2~13.8V)之间，因此整组电池浮充电压初期表现出较大的离散性。这种状态只有当电池经过一段时间的浮充运行后，即各电池由于内部的状态逐渐趋于稳定后才会明显改善。

  信源蓄电池图一记录了一组新2V500Ah电池组使信源蓄电池(电子) Co., Ltd用初期单体电池浮充电压的变化，可见在运行3个月后各单体的浮充电压逐渐趋于一致，运行到6个月后一信源蓄电池致性就非常好了。

         2V 500Ah新电池浮充运行6个月电压变化

       随着节能观念兴起，再生能源的发电效率也逐渐受到重视，为迎合市场需求，太阳能业者皆无所不用其极努力打造节能高效的太阳能发电系统。受惠近期太阳能光伏逆变器中的IGBT与MOSFET两项功率元件技术显著进步，太阳能面板转换效率已大幅提升。

　　IGBT技术演进日趋成熟

　　IGBT与N通道(N-ch)型MOSFET不同处在信源蓄电池(电子) Co., Ltd于，N-ch型MOSFET的基板极性为N；而IGBT的基板极性为P。由IGBT的构造图可看出，IGBT是由N-ch型的MOSFE与PNP型双极面结型晶体管(BipolarJunctionTransistor，BJT)组合而成。