再将1个BANK GROUP区域分成4个BANK小区域，分别命名为BANK0、BANK1、BANK2、BANK3。然后我们挑出2根地址线（还剩余17根）命名为BA0和BA1，为4个小BANK进行地址编码。
此时，我们将DDR内存颗粒划分成了2个BANK GROUP，每个BANK GROUP又分成了4个BANK，共8个BANK区域，分配了3根地址线，分别命名为BG0，BA0，BA1。然后我们还剩余17根信号线，每个BANK又该怎么设计呢？这时候，就要用到分时复用的设计理念了。
剩下的17根线，次用来表示行地址，第二次用来表示列地址。现在修改为传输2次地址，在传输1次数据，寻址范围多被扩展为2GB。虽然数据传输速度降低了一半，但是存储空间被扩展了很多倍。这就是改善空间。
所以，剩下的17根地址线，留1根用来表示传输地址是否为行地址。
在第1次传输时，行地址选择使能，剩下16根地址线，可以表示行地址范围，可以轻松算出行地址范围为2^16=65536个=64K个。
在第2次传输时，行地址选择禁用，剩下16根地址线，留10根列地址线表示列地址范围，可以轻松表示的列地址范围为2^10=1024个=1K个，剩下6根用来表示读写状态/刷新状态/行使能、等等复用功能。
这样，我们可以把1个BANK划分成67108864个=64M个地址编号。如下所示
所以1个BANK可以分成65536行，每行1024列，每个存储单元16bit。
所以1个BANK可以分成65536行，每行1024列，每个存储单元16bit。
每行可以存储1024*16bit=2048bit=2KB。每行的存储的容量，称为Page Size。
单个BANK共65536行，所以每个BANK存储容量为65536*2KB=128MB。
单个BANK GROUP共4个BANK，每个BANK GROUP存储容量为512MB。
单个DDR4芯片有2个BANK GROUP，故单个DDR4芯片的存储容量为1024MB=1GB。
至此，20根地址线和16根数据线全部分配完成，我们用正向设计的思维方式，为大家讲解了DDR4的存储原理以及接口定义和寻址方式。
但是细心的同学发现一个问题，对于每一个bank，按照正常的10位数据，那么col应该是1024，而现在是128，是什么原因呢？
