日本fujiig模块型号2MBI300VJ-120-50代理销售,应用IGBT时要做到的保护措施是哪些？
由于IGBT工作在高频与高电压、大电流的条件下，因而， IGBT除了要作降额考虑外，对IGBT的保护设计需要考虑。
(一)IGBT的工作原理
IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定
IGBT栅极与发射极之间的电压;
IGBT集电极与发射极之间的电压;
流过IGBT集电极-发射极的电流;
IGBT的结温。
如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能性损坏;同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压，流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的大电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能会性损坏。
(二)保护措施
(1) IGBT栅极的保护
IGBT的栅极-发射极驱动电压VGE的值为±20V，如果超出值的电压，则可能会损坏IGBT，因此，在IGBT的驱动电路中设置栅压限幅电路。另外，若IGBT的栅极与发射极间开路，由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在，使得栅极电位升高，集电极-发射极有电流流过。这时若集电极和发射极间处于高压状态时，可能会使IGBT甚至损坏。为防止此类情况发生，应在IGBT的栅极与发射极间并接一只几十kΩ的电阻，此电阻应尽量靠近栅极与发射极。
由于IGBT其栅极为mos结构，对于静电压也是十分的，故而对IGBT进行装配焊接作业时也注意以下事项在需要用手IGBT前，，时要此时人体上所带的静电已全部放掉;在焊接作业时，为了防止静电可能损坏IGBT，焊机一定要可靠地接地。
(2) 集电极与发射极间的过压保护
(2.1)直流过压产生的原因是由于前输入发生异常。解决的办法是在选取IGBT时，进行降额设计;另外，可在检测出这一过压时分断IGBT的输入，IGBT的安全。
(2.2) 浪涌电压的保护
因为电路中分布电感的存在，加之IGBT的开关速度较高，当IGBT关断时及与之并接的反向恢复二极管逆向恢复时，就会产生很大的浪涌电压Ldi/dt。如果VCESP超出
IGBT的集电极-发射极间耐压值VCES，就可能损坏IGBT。解决的办法主要有
在选取IGBT时考虑设计裕量;
在电路设计时调整IGBT驱动电路的Rg，使di/dt尽可能小;
尽量将电解电容靠近IGBT安装，以减小分布电感;
根据情况加装缓冲保护电路，旁路高频浪涌电压。
由于缓冲保护电路对IGBT的安全工作起着很重要的作用，在此将缓冲保护电路的类型和特点作一介绍。
C(电容)缓冲电路采用薄膜电容，靠近IGBT安装，其缺点是易产生电压振荡，而且IGBT开通时集电极电流较大。
RC缓冲电路其特点是适合于斩波电路，但在使用大容量IGBT时，使缓冲电阻值增大，否则，开通时集电极电流过大，使IGBT功能受到一定限制。
RCD缓冲电路，与RC缓冲电路相比其特点是，了缓冲二极管从而使缓冲电阻增大，避开了开通时IGBT功能受阻的问题。根据实际情况选取适当的缓冲保护电路，关断浪涌电压。在进行装配时，要尽量降低主电路和缓冲电路的分布电感，接线越短越粗越好。
冬天在冬天特别干燥的地区。IGBT模块的保管仓库需用加湿机加湿; IGBT模块的保管仓库尽量远离有腐蚀性气体，或灰尘较多的； 由于不同的企业在不同地方，在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块的保管仓库应温度变化较小的地方；， IGBT模块的保管仓库在日常，须注意不要在IGBT模块上堆放重物； 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器， 为了更好的使用IGBT模块，发挥良好的IGBT模块的性能，在日常保管的IGBT模块的工作还是要认真。细致， 如果大家对IGBT模块的保管有其它问题。
可以简单的把介于导体，和绝缘体之间的材料称为半导体，与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是晚的。直到20世纪30年代，当材料，的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可，半导体是指在常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体主要运用在收音机、电视机和测温上，半导体。是指一种导电性可控，范围从绝缘体到导体之间的材料。从科学技术和经济发展的角度 来看，半导体影响着人们的，日常工作生活，直到20世纪30年代这一材料才被学界所认可，半导体的发现实际上可以追溯到，1833年，英国科学家电子学之父法拉第先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属。
