电池应带电解液并充好电出厂，在现场安装好后，只需进行补充充电后即可浮充运行。 ●密封反应效率 蓄电池密封反应效率应不低于95％。 ●防爆性能 蓄电池在充电过程中，蓄电池外部遇明火时，不应内部。 ●蓄电池组事故冲击放电能力 蓄电池组(220V系统)以预放电1h后，叠加冲击电流放电1次，冲击电流应符合表1规定。冲击放电时蓄电池组端电压不低于202V。 表1 预放电流、冲击电流 标准电压 V 预放电流 冲击电流 主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM安装于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微处理器。
电池应带电解液并充好电出厂，在现场安装好后，只需进行补充充电后即可浮充运行。 ●密封反应效率 蓄电池密封反应效率应不低于95％。 ●防爆性能 蓄电池在充电过程中，蓄电池外部遇明火时，不应内部。 ●蓄电池组事故冲击放电能力 蓄电池组(220V系统)以预放电1h后，叠加冲击电流放电1次，冲击电流应符合表1规定。冲击放电时蓄电池组端电压不低于202V。 表1 预放电流、冲击电流 标准电压 V 预放电流 冲击电流
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